четверг, 6 декабря 2012 г.

Транзистор с трехмерной структурой и надеждами на скорость

Хотя это арсенид галлия и индия, поэтому на высоковольтность такого 3D-транзистора надеяться не стОит! Но рабочие частОты повыше будут, чем у кремния. И размеры за то говорят, и примененные материалы.

Получен 3D-транзистор из арсенида индия и галлия с затвором 20 нм


....затвор транзистора с размером 22 нм уже недостаточно хорошо функционирует в плоской архитектуре. Инженеры же планируют в 2015 г. достичь размера 14 нм, а к 2018 г. довести миниатюризацию до 10 нм...
Источник -http://ko.com.ua/poluchen_3d-tranzistor_iz_arsenida_indiya_i_galliya_s_zatvorom_20_nm_68901



 

Форум инженеров по автоматизации, электроников и приводистов